IRF3711Z详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 92A TO-220AB
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:92A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:24nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2150pF @ 10V
- 功率_最大:79W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
IRF3711ZCL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 92A TO-262
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:92A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:24nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2150pF @ 10V
- 功率_最大:79W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商设备封装:TO-262
- 包装:管件
IRF3711ZCLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 92A TO-262
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:92A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:24nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2150pF @ 10V
- 功率_最大:79W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商设备封装:TO-262
- 包装:管件
IRF3711ZCS详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:92A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:24nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2150pF @ 10V
- 功率_最大:79W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
IRF3711ZCSTRL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:92A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:24nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2150pF @ 10V
- 功率_最大:79W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
IRF3711ZCSTRLP详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:92A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:24nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2150pF @ 10V
- 功率_最大:79W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
- PMIC - 监控器 Texas Instruments * IC CIRC RESET MICROPWR SOT23-3
- FET - 单 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 500V 13A TO-220
- 数据采集 - 模数转换器 Intersil 72-VFQFN 裸露焊盘 IC ADC 10BIT 170MSPS DUAL 72-QFN
- FET - 单 International Rectifier TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 20V 92A TO-262
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) TXRX ESD RS-485/422 LP 8-SOIC
- 固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 1.5UH 19A SMD
- PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Texas Instruments TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA IC REG BUCK ADJ 5A TO263-7
- PMIC - 监控器 Texas Instruments TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 IC CIRC RESET MICROPWR SOT23-3
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 3300PF 50V X7R RADIAL
- 数据采集 - 模数转换器 Intersil 72-VFQFN 裸露焊盘 IC ADC 12BIT 170MSPS DUAL 72-QFN
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) TXRX ESD RS-485/422 LP 8-SOIC
- 固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 3.3UH 12A SMD
- PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Texas Instruments * IC REG BUCK 12V 5A TO220-7
- PMIC - 监控器 Texas Instruments * IC CIRC RESET MICROPWR SOT23-3
- FET - 单 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 600V 21A TO-220