IRF510S详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:540 毫欧 @ 3.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.3nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:180pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
IRF510SPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:540 毫欧 @ 3.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.3nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:180pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
IRF510STRL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:540 毫欧 @ 3.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.3nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:180pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
IRF510STRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:540 毫欧 @ 3.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.3nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:180pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D²PAK
- 包装:带卷 (TR)
IRF510STRR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:540 毫欧 @ 3.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.3nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:180pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
IRF510STRRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:540 毫欧 @ 3.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.3nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:180pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:TO-263(D2Pak)
- 包装:带卷 (TR)
- 跳线,预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1500TR/A3049R/X 4"
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
- 连接器,互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 8POS WALL MNT W/PINS
- 跳线,预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1500TR/A3048V/X 4"
- 跳线,预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1501TR/A2015Y/H1501TR 8"
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC
- FET - 单 Infineon Technologies TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 60V 18A TO-252
- 连接器,互连器件 LEMO PLUG CDA 10CTS D-COL
- 跳线,预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1500TR/A3048W/X 4"
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC
- 跳线,预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1501TR/A3048B/H1501TR 10
- 跳线,预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1500TR/A2015L/X 5"
- FET - 单 Infineon Technologies TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 100V 17A TO252-3
- 连接器,互连器件 LEMO PLUG CDA 14CTS C-COL
- 跳线,预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1500TR/A3048L/X 5"