

IRF5305S详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:31A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫欧 @ 16A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:63nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1200pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
IRF5305SPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:31A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫欧 @ 16A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:63nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1200pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
IRF5305STRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:31A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫欧 @ 16A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:63nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1200pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:Digi-Reel®
IRF5305STRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:31A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫欧 @ 16A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:63nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1200pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
IRF5305STRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:31A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫欧 @ 16A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:63nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1200pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:剪切带 (CT)
IRF5305STRR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:31A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫欧 @ 16A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:63nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1200pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
- IGBT - 单路 IXYS * IGBT B3 1200V 86A TO-247
- PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Intersil 16-VQFN 裸露焊盘 IC REG CTRLR BUCK PWM VM 16-QFN
- 接口 - 语音录制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 28-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC VOICE REC/PLAY 16S 28-SOIC
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
- 晶体 ECS Inc 4-SMD,无引线(DFN,LCC) CRYSTAL 18.432MHZ SERIES SMD
- PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments 8-WDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 3.3V .2A 8-LLP
- 晶体 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 14.31818MHZ 20PF SMD
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) IC OP AMP DUAL LOW V R-R 8-MSOP
- IGBT IXYS SOT-227-4,miniBLOC IGBT XPT 1200V 152A SOT-227B
- 接口 - 语音录制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 28-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC VOICE REC/PLAY 20SEC 28-SOIC
- 晶体 ECS Inc 4-SMD,无引线(DFN,LCC) CRYSTAL 18.432MHZ SERIES SMD
- 晶体 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 14.31818 MHZ 20PF 49US
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) IC OP AMP DUAL LOW VOLT 8MSOP
- IGBT IXYS SOT-227-4,miniBLOC IGBT XPT 1200V 134A SOT-227B
- PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC REG CTRLR BUCK PWM VM 8-SOIC