IRF6636TR1 全国供应商、价格、PDF资料
IRF6636TR1详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:18A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫欧 @ 18A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2420pF @ 10V
- 功率_最大:2.2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 ST
- 供应商设备封装:DIRECTFET? ST
- 包装:带卷 (TR)
IRF6636TR1详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:18A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫欧 @ 18A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2420pF @ 10V
- 功率_最大:2.2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 ST
- 供应商设备封装:DIRECTFET? ST
- 包装:剪切带 (CT)
IRF6636TR1PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:18A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫欧 @ 18A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2420pF @ 10V
- 功率_最大:2.2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 ST
- 供应商设备封装:DIRECTFET? ST
- 包装:剪切带 (CT)
IRF6636TR1PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:18A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫欧 @ 18A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2420pF @ 10V
- 功率_最大:2.2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 ST
- 供应商设备封装:DIRECTFET? ST
- 包装:Digi-Reel®
IRF6636TR1PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:18A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫欧 @ 18A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2420pF @ 10V
- 功率_最大:2.2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 ST
- 供应商设备封装:DIRECTFET? ST
- 包装:带卷 (TR)
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 220PF 100V 5% RADIAL
- 时钟/计时 - 时钟发生器,PLL,频率合成器 Texas Instruments 16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC FREQ SYNTH 2.5GHZ 16TSSOP
- IGBT - 单路 IXYS TO-247-3 IGBT 48A 600V TO-247AD
- 过时/停产零件编号 Intersil EVALUATION BOARD 2 ISL6740
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 1.8K OHM 1/4W 5% 1206 SMD
- FET - 单 International Rectifier DirectFET? 等容 ST MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
- IGBT - 单路 IXYS TO-247-3(TO-247AD) IGBT 600V 56A TO-247
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 220PF 100V 5% RADIAL
- 评估板 - DC/DC 与 AC/DC(离线)SMPS Intersil EVALUATION BOARD 2 ISL6740
- 时钟/计时 - 时钟发生器,PLL,频率合成器 Texas Instruments 24-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC FREQ SYNTHESIZER DUAL 24TSSOP
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments * IC AMP LP VOLT FEEDBACK SOT23-5
- IGBT - 单路 IXYS TO-247-3 IGBT 50A 1200V TO-247AD
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 220PF 100V 5% RADIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 220K OHM 1/4W 5% 1206 SMD
- PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Intersil 16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC REG CTRLR PWM VM 16-TSSOP