IRF6644详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-MN
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10.3A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫欧 @ 10.3A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4.8V @ 150µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：47nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2210pF @ 25V
- 功率_最大：2.8W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：DirectFET? 等容 MN
- 供应商设备封装：DIRECTFET? MN
- 包装：带卷 (TR)
IRF6644TR1详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-MN
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10.3A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫欧 @ 10.3A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4.8V @ 150µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：47nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2210pF @ 25V
- 功率_最大：2.8W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：DirectFET? 等容 MN
- 供应商设备封装：DIRECTFET? MN
- 包装：带卷 (TR)
IRF6644TR1PBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10.3A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫欧 @ 10.3A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4.8V @ 150µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：47nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2210pF @ 25V
- 功率_最大：2.8W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：DirectFET? 等容 MN
- 供应商设备封装：DIRECTFET? MN
- 包装：剪切带 (CT)
IRF6644TR1PBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10.3A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫欧 @ 10.3A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4.8V @ 150µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：47nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2210pF @ 25V
- 功率_最大：2.8W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：DirectFET? 等容 MN
- 供应商设备封装：DIRECTFET? MN
- 包装：带卷 (TR)
IRF6644TR1PBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10.3A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫欧 @ 10.3A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4.8V @ 150µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：47nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2210pF @ 25V
- 功率_最大：2.8W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：DirectFET? 等容 MN
- 供应商设备封装：DIRECTFET? MN
- 包装：Digi-Reel®
IRF6644TRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10.3A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫欧 @ 10.3A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4.8V @ 150µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：47nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2210pF @ 25V
- 功率_最大：2.8W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：DirectFET? 等容 MN
- 供应商设备封装：DIRECTFET? MN
- 包装：剪切带 (CT)
- 固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 33UH .92A SMD
- PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 International Rectifier 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC DRIVER 3PHASE 600V 28-SOIC
- 振荡器 Pericom 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 77.76MHZ 3.3V SMD
- FET - 单 International Rectifier DirectFET? 等容 MZ MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
- PMIC - 稳流/电流管理 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC CURRENT MONITOR 3% SOT23-5
- PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 International Rectifier 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC DRIVER BRIDGE 3PHASE 28SOIC
- 网络、阵列 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 2.4 OHM 4 RES 1206
- 振荡器 Pericom 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 100MHZ 3.3V SMD
- PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 International Rectifier 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC DRIVER 3PHASE 600V 28SOIC
- 振荡器 Pericom 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 100MHZ 1.8V SMD
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 10-UFQFN IC CURRENT SHUNT MONITOR 10UQFN
- 网络、阵列 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 2.4 OHM 4 RES 1206
- PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 International Rectifier 44-PLCC（32 引线） IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 44-PLCC
- 振荡器 Pericom 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 100MHZ 2.5V SMD
- 固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 330UH .27A SMD
19166203057 
0755-22655674 
0755-23613962 
0755-82533534 
0755-82578309 
0755-82561519 
0755-84507209 
0755-83223957 
13510131896 
010-62962871、 
13381567868 
13711580601 
0755-83242658 
