IRF6655TR1详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:62 毫欧 @ 5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4.8V @ 25µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:11.7nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:530pF @ 25V
- 功率_最大:2.2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 SH
- 供应商设备封装:DIRECTFET? SH
- 包装:带卷 (TR)
IRF6655TR1PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:62 毫欧 @ 5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4.8V @ 25µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:11.7nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:530pF @ 25V
- 功率_最大:2.2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 SH
- 供应商设备封装:DIRECTFET? SH
- 包装:带卷 (TR)
IRF6655TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:62 毫欧 @ 5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4.8V @ 25µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:11.7nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:530pF @ 25V
- 功率_最大:2.2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 SH
- 供应商设备封装:DIRECTFET? SH
- 包装:带卷 (TR)
IRF6655TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:62 毫欧 @ 5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4.8V @ 25µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:11.7nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:530pF @ 25V
- 功率_最大:2.2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 SH
- 供应商设备封装:DIRECTFET? SH
- 包装:剪切带 (CT)
IRF6655TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:62 毫欧 @ 5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4.8V @ 25µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:11.7nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:530pF @ 25V
- 功率_最大:2.2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:DirectFET? 等容 SH
- 供应商设备封装:DIRECTFET? SH
- 包装:Digi-Reel®
- 固定式 Vishay Dale 1210(3225 公制) INDUCTOR WW 68UH 5% 1210
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- FET - 单 International Rectifier DirectFET? 等容 MN MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET
- 嵌入式 - 微处理器 Freescale Semiconductor 256-BGA IC MPU PWRQUICC 80MHZ 256-PBGA
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 39POS CBL MNT SKT
- FET - 阵列 International Rectifier 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 6POS W/PIN CABLE
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 0.039UF 50V 10% RADIAL
- 固定式 Vishay Dale 1210(3225 公制) INDUCTOR WW 6.8UH 5% 1210
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 41POS CBL MNT PIN
- FET - 阵列 International Rectifier 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) MOSFET N-CH DUAL 30V 2.4A MICRO8
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 6POS W/SKT CABLE
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 0.039UF 50V 10% RADIAL
- 固定式 Vishay Dale 1210(3225 公制) INDUCTOR WW 82UH 5% 1210