IRF8910PBF 全国供应商、价格、PDF资料
IRF8910PBF详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:10A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13.4 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.55V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:11nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:960pF @ 10V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:管件
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 200K OHM 1W 5% 2512 SMD
- 网络、阵列 Panasonic Electronic Components 1206(3216 公制),凹陷 RES ARRAY 82 OHM 8 RES 1206
- FET - 阵列 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC
- 固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 12000UH .14A SMD
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 24A SO-8
- FET - 单 International Rectifier TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 30V 64A TO-262
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 200 OHM 1.5W 1% 2512 SMD
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 20V 15A 8-SOIC
- 固定式 Vishay Dale INDUCTOR POWER 15UH 4.5A SMD
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SOIC
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 200 OHM 1W 1% 2512 SMD
- 网络、阵列 Panasonic Electronic Components 1206(3216 公制),凹陷 RES ARRAY 0.0 OHM RES 1206