IRF9530S详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:12A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:300 毫欧 @ 7.2A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:860pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
IRF9530SPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:12A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:300 毫欧 @ 7.2A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:860pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
IRF9530STRL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:12A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:300 毫欧 @ 7.2A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:860pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
IRF9530STRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:12A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:300 毫欧 @ 7.2A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:860pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
IRF9530STRR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:12A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:300 毫欧 @ 7.2A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:860pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
IRF9530STRRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:12A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:300 毫欧 @ 7.2A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:860pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
- 数据采集 - 数字电位器 Intersil 10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 宽) IC DGTL POT 1CH 100K 10MSOP
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 12V 84A DPAK
- PMIC - 热交换 Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC USB PWR CTRLR DUAL 8SOIC
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
- 逻辑 -计数器,除法器 NXP Semiconductors 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC 14STAGE BINARY COUNTER 16SOIC
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 88POS .100 EXTEND
- 功率,高于 2 安 Panasonic Electric Works 径向,管状 RELAY GEN PURPOSE SPDT 15A 115V
- 数据采集 - 数字电位器 Intersil 10-UFQFN IC DGTL POT 1CH 50K 10UTQFN
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
- 逻辑 - 栅极和逆变器 NXP Semiconductors 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC HEX INVERTER 14SOIC
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 88POS .100 EYELET
- 功率,高于 2 安 Panasonic Electric Works 径向,管状 RELAY GEN PURPOSE SPDT 15A 110V
- 数据采集 - 数字电位器 Intersil 16-UFQFN IC DGTL POT 256POS 100K 16UTQFN
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 88POS DIP .100 SLD