IRF9952详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET N+P 30V 2.3A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：N 和 P 沟道
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.5A，2.3A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 2.2A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：190pF @ 15V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：管件
IRF9952PBF详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET N+P 30V 2.3A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：N 和 P 沟道
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.5A，2.3A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 2.2A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：190pF @ 15V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：管件
IRF9952QTRPBF详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET N/P-CH DUAL 30V 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：N 和 P 沟道
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.5A，2.3A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 2.2A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：190pF @ 15V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：Digi-Reel®
IRF9952QTRPBF详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET N/P-CH DUAL 30V 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：N 和 P 沟道
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.5A，2.3A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 2.2A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：190pF @ 15V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：剪切带 (CT)
IRF9952TR详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET N+P 30V 2.3A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：N 和 P 沟道
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.5A，2.3A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 2.2A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：190pF @ 15V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：带卷 (TR)
IRF9952TRPBF详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET N+P 30V 2.3A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：N 和 P 沟道
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.5A，2.3A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 2.2A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：190pF @ 15V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：剪切带 (CT)
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 88POS DIP .100 SLD
- 功率，高于 2 安 Panasonic Electric Works RELAY GEN PURPOSE SPDT 15A 115V
- 配件 Avago Technologies US Inc. 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） CODEWHEEL 28MM 2CH 1000CPR 1/4"
- 接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil 28-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） IC 4DRVR/5RCVR RS232 5V 28-SSOP
- PMIC - 热交换 Intersil 8-VDFN 裸露焊盘 IC USB PWR CTRLR DUAL 8DFN
- 数据采集 - 数字电位器 Intersil 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC DGTL POT 2CH 100K 14TSSOP
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 98POS R/A .100 SLD
- 底座安装电阻器 Vishay Dale 径向，管状 RES 25 OHM 5% 225W TUBULAR WW
- PMIC - 热交换 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC USB PWR CTRLR DUAL 10DFN
- 接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC 2DRVR/2RCVR RS232 5V 16-SOIC
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 25V 81A DPAK
- 数据采集 - 数字电位器 Intersil 16-UFQFN IC DGTL POT 2CH 50K 16UTQFN
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 98POS .100 EYELET
- 配件 Avago Technologies US Inc. 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） CODEWHEEL 28MM 2CH 1000CPR 1/4"
0532-87557828 
0755-82561519 
0755-82573702 
0755-88917652 
0755-８２７８９２９６ 
0755-83538837 
0755-83211840 
13510998172 
0755-23613962 
19166203057 
0755-83259954 
755-83252273 
0755-83051566 
0755-84507209 
83209217 
