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IRFH5025TR2PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：250V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 5.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 150µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2150pF @ 50V; 功率_最大：3.6W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-VQFN; 供应商设备封装：8-QFN; 包装：剪切带 (CT)

IRFH5025TR2PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：250V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 5.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 150µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2150pF @ 50V; 功率_最大：3.6W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-VQFN; 供应商设备封装：8-QFN; 包装：Digi-Reel®

IRFH5025TR2PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：250V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 5.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 150µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2150pF @ 50V; 功率_最大：3.6W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-VQFN; 供应商设备封装：8-QFN; 包装：带卷 (TR)

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FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
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固定式 AVX Corporation 0402（1005 公制） INDUCTOR HI-Q 1.8NH 0402 SMD
IRKT92/10A
SCR Vishay Semiconductors ADD-A-PAK（3 + 4） SCR DBL 2SCR 1000V 90A ADD-A-PAK
E3X-MC11-S
配件 Omron Electronics Inc-IA Div PROGRAMMER KIT FOR E3X-DAS/MDA
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