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IRFL4310TRPBF 全国供应商、价格、PDF资料

型号:厂商:批号:封装:
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IRFL4310TRPBF详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.6A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:200 毫欧 @ 1.6A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:330pF @ 25V
功率_最大:1W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装:SOT-223
包装:剪切带 (CT)

IRFL4310TRPBF详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.6A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:200 毫欧 @ 1.6A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:330pF @ 25V
功率_最大:1W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装:SOT-223
包装:Digi-Reel®

IRFL4310TRPBF详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.6A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:200 毫欧 @ 1.6A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:330pF @ 25V
功率_最大:1W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装:SOT-223
包装:带卷 (TR)

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