IRFR5505TR 全国供应商、价格、PDF资料
IRFR5505TRL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:18A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:110 毫欧 @ 9.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:650pF @ 25V
- 功率_最大:57W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR5505TRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:18A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:110 毫欧 @ 9.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:650pF @ 25V
- 功率_最大:57W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR5505TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:18A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:110 毫欧 @ 9.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:650pF @ 25V
- 功率_最大:57W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:Digi-Reel®
IRFR5505TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:18A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:110 毫欧 @ 9.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:650pF @ 25V
- 功率_最大:57W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:剪切带 (CT)
IRFR5505TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:18A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:110 毫欧 @ 9.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:650pF @ 25V
- 功率_最大:57W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRFR5505TRR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:18A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:110 毫欧 @ 9.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:650pF @ 25V
- 功率_最大:57W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 4700PF 500V X7R RADIAL
- 旋钮 TE Connectivity 9-SIP SWITCH KNOB 6FLUTE BLACK
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC MOSFET DRIVER N-CH 200V 8SOIC
- 配件 B&K Precision 1007(2518 公制) CARRY CASE FOR HANDHELD DMM
- 陶瓷 Taiyo Yuden 1210(3225 公制) CAP CER 100UF 6.3V Y5U 1210
- 固定式 AVX Corporation 0603(1608 公制) INDUCTOR THIN FILM 15NH 0603
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 4700PF 50V X7R RADIAL
- 嵌入式 - CPLD(复杂可编程逻辑器件) Lattice Semiconductor Corporation 484-BBGA IC PLD 2112LUTS 484-FPBGA
- 配件 B&K Precision 1007(2518 公制) CARRY CASE FOR HANDHELD DMM
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC MOSFET DRIVER 200V 8-SOIC
- 陶瓷 Taiyo Yuden 1210(3225 公制) CAP CER 100UF 6.3V Y5V 1210
- 固定式 AVX Corporation 0603(1608 公制) INDUCTOR THIN FILM 15NH 0603
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 4700PF 100V X7R RADIAL
- 嵌入式 - CPLD(复杂可编程逻辑器件) Lattice Semiconductor Corporation 484-BBGA IC PLD 2112LUTS 484-FPBGA