IRFZ24PBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 17A TO-220AB
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 10A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：640pF @ 25V
- 功率_最大：60W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
- 热 - 垫，片 t-Global Technology H48-6 SHEET 150X150X1MM
- 配件 APM Hexseal TO-247-3 BOOT SWITCH TOGGLE BLACK
- FET - 单 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
- 固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 120NH 10% 1812
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 5.3PF 25V NP0 0201
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
- 热 - 垫，片 t-Global Technology H48-6 SHEET 150X150X5MM
- FET - 单 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
- 固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 120NH 20% 1812
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 5.3PF 25V NP0 0201
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
- 热 - 垫，片 t-Global Technology H48-6 SHEET 150X150X5MM W/ADH
- 接口 - I/O 扩展器 Intersil 44-QFP IC I/O EXPANDER 24B 44MQFP
0755-82542579 
0755-88291559 
0755-23487994 
18926544209/1 
18927479189 
0755-82561519 
075582788062 
13910052844（微 
171-4729-0036 
0755-83209630 
0755-22929859 
0755-18503085 
0755-/8321846 
0755-83777708 
