IRL2203NS详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:116A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7 毫欧 @ 60A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:60nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3290pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
IRL2203NSPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:116A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7 毫欧 @ 60A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:60nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3290pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
IRL2203NSTRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:116A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7 毫欧 @ 60A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:60nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3290pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
IRL2203NSTRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:116A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7 毫欧 @ 60A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:60nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3290pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:Digi-Reel®
IRL2203NSTRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:116A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7 毫欧 @ 60A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:60nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3290pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:剪切带 (CT)
IRL2203NSTRR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:116A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7 毫欧 @ 60A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:60nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3290pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
- PMIC - 稳压器 - 线性 + 切换式 Intersil 28-VFQFN 裸露焊盘 IC REG TRPL BCK/LINEAR 28QFN
- 配件 GE 4 SLOT SHELF
- IGBT - 单路 IXYS TO-247-3 IGBT W/DIODE 600V 55A TO-247AD
- 逻辑 - 缓冲器,驱动器,接收器,收发器 STMicroelectronics 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC BUFF QD TRU/COM N-INV 14SOICN
- FET - 单 International Rectifier TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 30V 116A TO-262
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div HOST LINK MODULE CV 2 PORTS
- IGBT - 单路 IXYS TO-247-3 IGBT HI SPEED 1000V 70A TO-247AD
- 箱 LMB Heeger Inc. BOX ALUMINUM: 10"X6"X3 1/2"
- PMIC - 稳压器 - 专用型 Intersil 28-SOIC(0.295",7.50mm 宽)裸露焊盘 IC VOLT REG DUAL LNB 28-EPSOIC
- 逻辑 - 栅极和逆变器 STMicroelectronics 16-SOIC(0.154",3.90mm Width)裸露焊盘 IC BUFF/CNVRTR HEX INVER 16SOICN
- IGBT - 单路 IXYS TO-247-3 IGBT 1000V SCSOA TO-247
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div HOST LINK MODULE CV 2 PORTS
- 配件 Staco Energy Products Company TRANSFORMER VARIABLE
- IGBT - 单路 IXYS TO-264-3,TO-264AA IGBT 600V SCSOA TO-264
- 晶体 Citizen Finetech Miyota HC49/US CRYSTAL 17.734475 MHZ 18PF SMD