IRL510详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:540 毫欧 @ 3.4A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:6.1nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 25V
- 功率_最大:43W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
IRL510A详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:440 毫欧 @ 2.8A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:235pF @ 25V
- 功率_最大:37W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220
- 包装:管件
IRL510L详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:540 毫欧 @ 3.4A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:6.1nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商设备封装:TO-262-3
- 包装:管件
IRL510PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:540 毫欧 @ 3.4A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:6.1nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 25V
- 功率_最大:43W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
IRL510S详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:540 毫欧 @ 3.4A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:6.1nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
IRL510SPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:540 毫欧 @ 3.4A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:6.1nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
- 数据采集 - 数字电位器 Intersil 20-VFQFN 裸露焊盘 IC DGTL POT 256POS 10K 20TSSOP
- 数据采集 - 触摸屏控制器 IDT, Integrated Device Technology Inc 28-SSOP(0.209",5.30mm 宽) IC SENSOR TCH PURETOUCH 28SSOP
- FET - 单 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 30V 140A TO-220AB
- 其它 Littelfuse Inc CABLE LIMITER 250MCM 600V AL
- PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments 5-VFBGA IC REG LDO 3.1V .15A 5MICROSMD
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 14-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC AMP LV LP 12MHZ 14-TSSOP
- 薄膜 Nichicon 矩形接线盒 CAP FILM 4UF 250VAC QC TERM
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC OP AMP DUAL R-R PREC 8-SOIC
- 数据采集 - 数字电位器 Intersil 20-VFQFN 裸露焊盘 IC DGTL POT QUAD 10K 20QFN
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments SC-74A,SOT-753 IC OPAMP GP R-R 5MHZ SGL SOT23-5
- PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments 5-VFBGA IC REG LDO 5V .15A 5USMD
- 薄膜 Nichicon 矩形接线盒 CAP FILM 5UF 250VAC QC TERM
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC OP AMP SGL LOW NOISE 8SOIC
- 数据采集 - 数字电位器 Intersil 20-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC DGTL POT QUAD 10K 20TSSOP
- 其它 Littelfuse Inc CABLE LIMITER 600V 4/0 AL