IRLL3303详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:31 毫欧 @ 4.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:840pF @ 25V
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SOT-223
- 包装:管件
IRLL3303PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:31 毫欧 @ 4.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:840pF @ 25V
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SOT-223
- 包装:管件
IRLL3303TR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:31 毫欧 @ 4.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:840pF @ 25V
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SOT-223
- 包装:剪切带 (CT)
IRLL3303TR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:31 毫欧 @ 4.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:840pF @ 25V
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SOT-223
- 包装:带卷 (TR)
IRLL3303TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:31 毫欧 @ 4.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:840pF @ 25V
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SOT-223
- 包装:Digi-Reel®
IRLL3303TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:31 毫欧 @ 4.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:840pF @ 25V
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SOT-223
- 包装:剪切带 (CT)
- FET - 单 International Rectifier TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div FZ4 HG STD. BOX 2-CAM.PNP
- 连接器,互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 6POS WALL MNT W/SCKT
- 配件 Teledyne LeCroy SENT BUS DECODE OPTION
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 1800PF 200V X7R RADIAL
- 背板 - 专用 FCI METRAL HDR RA PF 4X12
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0805(2012 公制) CAP CER 5600PF 50V 5% NP0 0805
- 振荡器 Fox Electronics 6-SMD,无引线(DFN,LCC) OSC 148.3516 MHZ 2.5V LVDS SMD
- 圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 6POS SKT
- 背板 - 专用 FCI METRAL HDR RA PF 4X12
- 配件 Teledyne LeCroy SENT BUS DECODE OPTION
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 1800PF 200V X7R RADIAL
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0805(2012 公制) CAP CER 6200PF 50V 5% NP0 0805
- 振荡器 Fox Electronics 6-SMD,无引线(DFN,LCC) OSC 62.5 MHZ 2.5V LVDS SMD
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div FZ4 HG HISPD HMI 2-CAM.NPN