MJB5742T4G 全国供应商、价格、PDF资料

MJB5742T4G详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS PWR BIP NPN D2PAK

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：NPN - 达林顿

电流_集电极333Ic444（最大）：8A

电压_集电极发射极击穿（最大）：400V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：3V @ 400mA，8A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 4A，5V

功率_最大：2W

频率_转换：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商设备封装：D2PAK

包装：带卷 (TR)

MJB5742T4G详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS PWR BIP NPN D2PAK

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：NPN - 达林顿

电流_集电极333Ic444（最大）：8A

电压_集电极发射极击穿（最大）：400V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：3V @ 400mA，8A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 4A，5V

功率_最大：2W

频率_转换：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商设备封装：D2PAK

包装：Digi-Reel®

MJB5742T4G详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS PWR BIP NPN D2PAK

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：NPN - 达林顿

电流_集电极333Ic444（最大）：8A

电压_集电极发射极击穿（最大）：400V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：3V @ 400mA，8A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 4A，5V

功率_最大：2W

频率_转换：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商设备封装：D2PAK

包装：剪切带 (CT)