MJD2955详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS POWER PNP 10A 60V DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):10A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):60V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):8V @ 3.3A,10A
- 电流_集电极截止(最大):50µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:20 @ 4A,4V
- 功率_最大:1.75W
- 频率_转换:2MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:DPAK-3
- 包装:管件
MJD2955-001详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS POWER PNP 10A 60V IPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):10A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):60V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):8V @ 3.3A,10A
- 电流_集电极截止(最大):50µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:20 @ 4A,4V
- 功率_最大:1.75W
- 频率_转换:2MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
- 供应商设备封装:I-Pak
- 包装:管件
MJD2955-1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS POWER PNP 10A 60V IPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):10A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):60V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):8V @ 3.3A,10A
- 电流_集电极截止(最大):50µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:20 @ 4A,4V
- 功率_最大:1.75W
- 频率_转换:2MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
- 供应商设备封装:I-Pak
- 包装:管件
MJD2955G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS POWER PNP 10A 60V DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):10A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):60V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):8V @ 3.3A,10A
- 电流_集电极截止(最大):50µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:20 @ 4A,4V
- 功率_最大:1.75W
- 频率_转换:2MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:DPAK-3
- 包装:管件
MJD2955T4详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 60V 10A DPAK
- 系列:-
- 制造商:STMicroelectronics
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):10A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):60V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):8V @ 3.3A,10A
- 电流_集电极截止(最大):50µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:20 @ 4A,4V
- 功率_最大:20W
- 频率_转换:2MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:剪切带 (CT)
MJD2955T4详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 60V 10A DPAK
- 系列:-
- 制造商:STMicroelectronics
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):10A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):60V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):5V @ 3.3A,10A
- 电流_集电极截止(最大):50µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:20 @ 4A,4V
- 功率_最大:20W
- 频率_转换:2MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
- 逻辑 - 变换器 Maxim Integrated 16-WQFN 裸露焊盘 IC LEVEL TRANS 6CH 16-TQFN-EP
- 二极管,整流器 - 阵列 Diodes/Zetex TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE DUAL SW 75V 350MW SOT23-3
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Beyschlag Wide 0604(1610 Metric),0406 RES 249 OHM 1/4W .1% 0406 WIDE
- 晶体管(BJT) - 单路 ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 TRANS PWR PNP 4A 100V DPAK
- 晶体管(BJT) - 单路 ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 TRANS DARL NPN 2A 100V DPAK
- 逻辑 - 多频振荡器 Fairchild Semiconductor 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC MULTIVIBRATOR MONO DL 16-SOIC
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 逻辑 - 变换器 Maxim Integrated 14-WFDFN 裸露焊盘 IC LEVEL TRANSLATOR 14-TDFN
- PMIC - 电池管理 Maxim Integrated 16-WQFN 裸露焊盘 IC BATTERY CHARGER 16WQFN
- 二极管,整流器 - 阵列 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE DUAL SW 75V 350MW SOT23-3
- 逻辑 - 缓冲器,驱动器,接收器,收发器 Fairchild Semiconductor 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC BUFF TRI-ST QD N-INV 14SOIC
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 TRANSISTOR NPN DARL 100V 2A DPAK
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Maxim Integrated 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC TXRX CAN 1MBPS 8-SOIC
- PMIC - 电池管理 Maxim Integrated 16-WQFN 裸露焊盘 IC BATTERY CHARGER 16-TQFN