MJD2955T4详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 60V 10A DPAK
- 系列:-
- 制造商:STMicroelectronics
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):10A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):60V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):8V @ 3.3A,10A
- 电流_集电极截止(最大):50µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:20 @ 4A,4V
- 功率_最大:20W
- 频率_转换:2MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:剪切带 (CT)
MJD2955T4详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 60V 10A DPAK
- 系列:-
- 制造商:STMicroelectronics
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):10A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):60V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):5V @ 3.3A,10A
- 电流_集电极截止(最大):50µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:20 @ 4A,4V
- 功率_最大:20W
- 频率_转换:2MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
MJD2955T4详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 60V 10A DPAK
- 系列:-
- 制造商:STMicroelectronics
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):10A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):60V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):8V @ 3.3A,10A
- 电流_集电极截止(最大):50µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:20 @ 4A,4V
- 功率_最大:20W
- 频率_转换:2MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:Digi-Reel®
MJD2955T4详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS PWR PNP 10A 60V DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):10A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):60V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):8V @ 3.3A,10A
- 电流_集电极截止(最大):50µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:20 @ 4A,4V
- 功率_最大:1.75W
- 频率_转换:2MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:DPAK-3
- 包装:剪切带 (CT)
MJD2955T4详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS PWR PNP 10A 60V DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):10A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):60V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):8V @ 3.3A,10A
- 电流_集电极截止(最大):50µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:20 @ 4A,4V
- 功率_最大:1.75W
- 频率_转换:2MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:DPAK-3
- 包装:Digi-Reel®
MJD2955T4G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS PWR PNP 10A 60V DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):10A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):60V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):8V @ 3.3A,10A
- 电流_集电极截止(最大):50µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:20 @ 4A,4V
- 功率_最大:1.75W
- 频率_转换:2MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:DPAK-3
- 包装:带卷 (TR)
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay BC Components 0805(2012 公制) RES 2.32K OHM 1/8W .1% SMD 0805
- 晶体管(BJT) - 单路 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 TRANSISTOR PNP 60V 10A DPAK
- DIP TE Connectivity 256-BGA SWITCH DIP ROCKER 4POS SMD
- 嵌入式 - 微控制器, Freescale Semiconductor * IC ARM CORTEX MCU 512KB 144BGA
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 Microchip Technology 8-DIP(0.300",7.62mm) IC MOSFET DRIVER 2A 8PDIP
- 二极管,整流器 - 阵列 Micro Commercial Co TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE ULT FAST 200MA 75V SOT-23
- 嵌入式 - 微控制器, Freescale Semiconductor 64-LQFP IC MCU 60K FLASH 4K RAM 64-LQFP
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 28POS JAM NUT W/SKT
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay BC Components 0805(2012 公制) RES 28K OHM 1/8W .1% SMD 0805
- 时钟/计时 - 时钟缓冲器,驱动器 IDT, Integrated Device Technology Inc 28-SSOP(0.154",3.90mm 宽) IC CLK BUFFER 1:8 200MHZ 28-SSOP
- 二极管,整流器 - 阵列 Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE SS 100V 200MA SOT-23
- 嵌入式 - 微控制器, Freescale Semiconductor * IC MCU 8BIT 16KB FLASH 32QFN
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 Microchip Technology 8-VDFN 裸露焊盘 IC MOSFET DRIVER 3A 8DFN-S
- 圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG RCPT JAM NUT 28POS SKT
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay BC Components 0805(2012 公制) RES 29.4K OHM 1/8W .1% SMD 0805