MMSF3P02HDR2 全国供应商、价格、PDF资料
MMSF3P02HDR2详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:75 毫欧 @ 3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:46nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1400pF @ 16V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
MMSF3P02HDR2详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:75 毫欧 @ 3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:46nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1400pF @ 16V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
MMSF3P02HDR2G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:75 毫欧 @ 3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:46nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1400pF @ 16V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
MMSF3P02HDR2G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:75 毫欧 @ 3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:46nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1400pF @ 16V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
MMSF3P02HDR2G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:75 毫欧 @ 3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:46nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1400pF @ 16V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
MMSF3P02HDR2SG详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:75 毫欧 @ 3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:46nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1400pF @ 16V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 5POS FLANGE W/SKT
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 轴向 CAP FILM 0.1UF 630VDC AXIAL
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- FET - 单 ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 背板 - 专用 Vishay Dale SOT-23-6 CONN RACK/PANEL 14POS 5A
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) CAP CER 10000PF 25V Y5V 0603
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 轴向 CAP FILM 0.1UF 630VDC AXIAL
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 背板 - 专用 Vishay Dale CONN RACK/PANEL 7POS 5A
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) CAP CER 0.1UF 25V Y5V 0603
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 连接器,互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 6POS WALL MT W/SCKT