MTD5P06VT4详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 60V 5A DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:450 毫欧 @ 2.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:510pF @ 25V
- 功率_最大:40W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:DPAK-3
- 包装:带卷 (TR)
MTD5P06VT4详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 60V 5A DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:450 毫欧 @ 2.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:510pF @ 25V
- 功率_最大:40W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:DPAK-3
- 包装:Digi-Reel®
MTD5P06VT4详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 60V 5A DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:450 毫欧 @ 2.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
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- 功率_最大:40W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:DPAK-3
- 包装:剪切带 (CT)
MTD5P06VT4G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 60V 5A DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:450 毫欧 @ 2.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:510pF @ 25V
- 功率_最大:40W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:DPAK-3
- 包装:Digi-Reel®
MTD5P06VT4G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 60V 5A DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:450 毫欧 @ 2.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:510pF @ 25V
- 功率_最大:40W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:DPAK-3
- 包装:带卷 (TR)
MTD5P06VT4G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 60V 5A DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:450 毫欧 @ 2.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:510pF @ 25V
- 功率_最大:40W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:DPAK-3
- 包装:剪切带 (CT)
- 固定式 TT Electronics/BI 非标准 DRUM CORE HIGH PERF INDUCTORS
- PMIC - 稳压器 - 线性 NJR SC-74A,SOT-753 IC REG LDO 2.5V .2A SOT-23
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
- DC DC Converters Murata Power Solutions Inc 7-SIP 模块(5 引线) CONV DC/DC 1W 24VIN 5VOUT SIP DL
- 固定式 Taiyo Yuden 非标准 INDUCTOR 4.7UH 1.06A 20% SMD
- 固定式 Taiyo Yuden 非标准 INDUCTOR POWER 4.7UH 4.0A SMD
- 固定式 TT Electronics/BI 非标准 DRUM CORE HIGH PERF INDUCTORS
- IGBT - 单路 ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 IGBT N-CHAN 15A 410V DPAK
- 接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器 ON Semiconductor 6-WFDFN IC SWITCH SPDT 6WDFN
- DC DC Converters Murata Power Solutions Inc 14-DIP 模块(300 mil,6 引线) CONV DC/DC 1W 24VIN 15V DIP DL
- 螺线形绕线,伸缩套管 Techflex 非标准 NOISE REDUCTION 1/8" BLACK 100’
- IGBT - 单路 ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 IGBT N-CHAN 15A 410V DPAK
- 固定式 Taiyo Yuden 非标准 INDUCTOR POWER 10UH 3.1A SMD
- 固定式 TT Electronics/BI 非标准 DRUM CORE HIGH PERF INDUCTORS
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps NJR 14-DIP IC OPAMP QUAD HI-GAIN 14-DIP