MUN5312DW1T1详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT-363
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):22k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):22k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:60 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:250mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SOT-363
- 包装:带卷 (TR)
MUN5312DW1T1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT-363
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):22k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):22k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:60 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:250mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SOT-363
- 包装:剪切带 (CT)
MUN5312DW1T1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT-363
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):22k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):22k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:60 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:250mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SOT-363
- 包装:带卷 (TR)
MUN5312DW1T1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT-363
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):22k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):22k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:60 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:250mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SOT-363
- 包装:Digi-Reel®
MUN5312DW1T2G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT-363
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):22k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):22k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:60 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:385mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SOT-363
- 包装:带卷 (TR)
- 固定式 Bourns Inc. 非标准 INDUCTOR POWER 22UH 0.76A 0403
- LED - 高亮度,电源 Cree Inc 2-SMD,鸥翼型接片 LED XLAMP MX6 WHITE SMD
- PMIC - 监控器 Microchip Technology TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 IC VOLT DETECTOR 2.7V SOT23A
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 39PF 3KV 10% RADIAL
- 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT363
- TVS - 二极管 Bourns Inc. DO-214AB,SMC DIODE TVS 45V 1500W UNI 5% SMD
- FET - 单 Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products WSMini6-F1-B MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6
- 固定式 Bourns Inc. 非标准 INDUCTOR 27UH 710MA SMD
- LED - 高亮度,电源 Cree Inc 2-SMD,鸥翼型接片 LED XLAMP MX6 WHITE SMD
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 1000PF 3KV 10% RADIAL
- TVS - 二极管 Bourns Inc. DO-214AB,SMC DIODE TVS 45V 1500W BI 5% SMD
- FET - 单 Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products WS迷你型6-F1 MOSFET P-CH 20V 3A WSMINI6
- LED - 高亮度,电源 Cree Inc 2-SMD,鸥翼型接片 LED XLAMP MX6 WHITE PLCC
- PMIC - 监控器 Microchip Technology TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 IC VOLT DETEC CMOS 4.2V SOT23A-3
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AB,SMC TVS 1.5KW UNIDIR 45V 10% SMC