NCP5359ADR2G 全国供应商、价格、PDF资料

NCP5359ADR2G详细规格

类别：PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关

描述：IC MOSFET GATE DVR DUAL 8-SOIC

系列：-

制造商：ON Semiconductor

类型：

配置：高端和低端，同步

输入类型：PWM

延迟时间：10ns

导通电阻：

电流_峰值：-

电流_输出/通道：

配置数：1

电流_峰值输出：

输出数：2

高压侧电压_最大值（自举）：30V

电压_电源：10 V ~ 13.2 V

工作温度：0°C ~ 85°C

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC N

包装：剪切带 (CT)

NCP5359ADR2G详细规格

类别：PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关

描述：IC MOSFET GATE DVR DUAL 8-SOIC

系列：-

制造商：ON Semiconductor

类型：

配置：高端和低端，同步

输入类型：PWM

延迟时间：10ns

导通电阻：

电流_峰值：-

电流_输出/通道：

配置数：1

电流_峰值输出：

输出数：2

高压侧电压_最大值（自举）：30V

电压_电源：10 V ~ 13.2 V

工作温度：0°C ~ 85°C

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC N

包装：带卷 (TR)

NCP5359ADR2G详细规格

类别：PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关

描述：IC MOSFET GATE DVR DUAL 8-SOIC

系列：-

制造商：ON Semiconductor

类型：

配置：高端和低端，同步

输入类型：PWM

延迟时间：10ns

导通电阻：

电流_峰值：-

电流_输出/通道：

配置数：1

电流_峰值输出：

输出数：2

高压侧电压_最大值（自举）：30V

电压_电源：10 V ~ 13.2 V

工作温度：0°C ~ 85°C

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC N

包装：Digi-Reel®