NDT455N详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 11.5A SOT-223
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:11.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:15 毫欧 @ 11.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:61nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1220pF @ 15V
- 功率_最大:1.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SOT-223-3
- 包装:剪切带 (CT)
NDT455N详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 11.5A SOT-223
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:11.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:15 毫欧 @ 11.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:61nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1220pF @ 15V
- 功率_最大:1.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SOT-223-3
- 包装:带卷 (TR)
- 背板 - 硬公制,标准 FCI CONN HEADER 125POS TYPE B VERT
- DIP APEM Components, LLC 8-SSOT,SuperSOT-8 SWITCH DIP 1/2 PITCH
- 固定式 TDK Corporation 1812(4532 公制) INDUCTOR SHIELD 68UH 5% 1812
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-261-4,TO-261AA MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-223
- 通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 165KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- 存储器 Micron Technology Inc 54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 54TSOP
- 固定式 TDK Corporation 1812(4532 公制) INDUCTOR 2.2UH 10% 453232
- 接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 24CIRC 11MM
- 背板 - 硬公制,标准 FCI CONN HEADER 125POS TYPE B VERT
- 固定式 TDK Corporation 1812(4532 公制) INDUCTOR SHIELD 680UH 5% 1812
- 通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 16.5 OHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- 存储器 Micron Technology Inc 86-TFSOP(0.400",10.16mm 宽) IC SDRAM 64MBIT 167MHZ 86TSOP
- 固定式 TDK Corporation 1812(4532 公制) INDUCTOR WW PWR 33UH 300MA 10%
- 接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 5CIRC 11MM
- DIP APEM Components, LLC 8-SSOT,SuperSOT-8 SWITCH DIP 1/2 PITCH