NE651R479A的供应信息|PDF资料|求购NE651R479A上51电子网

NE651R479A-A详细规格: 类别：RF FET; 描述：HJ-FET GAAS 1.9GHZ 1W 79A; 系列：-; 制造商：CEL; 晶体管类型：HFET; 频率：1.9GHz; 增益：12dB; 电压_测试：3.5V; 额定电流：1A; 噪音数据：-; 电流_测试：50mA; 功率_输出：27dBm; 电压_额定：8V; 封装/外壳：4-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：79A; 包装：散装

NE651R479A-EVPW19详细规格: 类别：RF 评估和开发套件，板; 描述：EVAL BOARD NE651R479A 1.9GHZ; 系列：-; 制造商：CEL; 类型：FET; 频率：1.9GHz; 适用于相关产品：NE651R479A@1.9GHz; 已供物品：板

NE651R479A-EVPW24详细规格: 类别：RF 评估和开发套件，板; 描述：EVAL BOARD NE651R479A 2.4GHZ; 系列：-; 制造商：CEL; 类型：FET; 频率：1.9GHz; 适用于相关产品：NE651R479A@2.4GHz; 已供物品：板

NE651R479A-EVPW35详细规格: 类别：RF 评估和开发套件，板; 描述：EVAL BOARD NE651R479A 3.5GHZ; 系列：-; 制造商：CEL; 类型：FET; 频率：1.9GHz; 适用于相关产品：NE651R479A@3.5GHz; 已供物品：板

NE651R479A-T1-A详细规格: 类别：RF FET; 描述：HJ-FET GAAS 1.9GHZ 1W 79A; 系列：-; 制造商：CEL; 晶体管类型：HFET; 频率：1.9GHz; 增益：12dB; 电压_测试：3.5V; 额定电流：1A; 噪音数据：-; 电流_测试：50mA; 功率_输出：27dBm; 电压_额定：8V; 封装/外壳：4-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：79A; 包装：带卷 (TR)

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