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NID9N05ACLT4G 全国供应商、价格、PDF资料

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NID9N05ACLT4G详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 52V 9A LL DPAK-3
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:52V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:9A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:90 毫欧 @ 9A,12V
Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 100µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:7nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 40V
功率_最大:1.74W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:D-Pak
包装:Digi-Reel®

NID9N05ACLT4G详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 52V 9A LL DPAK-3
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:52V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:9A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:90 毫欧 @ 9A,12V
Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 100µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:7nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 40V
功率_最大:1.74W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:D-Pak
包装:剪切带 (CT)

NID9N05ACLT4G详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 52V 9A LL DPAK-3
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:52V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:9A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:90 毫欧 @ 9A,12V
Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 100µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:7nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 40V
功率_最大:1.74W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:D-Pak
包装:带卷 (TR)

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