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NOJA475M010RWJ详细规格: 类别：氧化铌; 描述：CAP NIOB OXIDE 4.7UF 10V 1206; 系列：OxiCap® NOJ; 制造商：AVX Corporation; 电容：4.7µF; 电压_额定：10V; 容差：±20%; ESR（等效串联电阻）：3.1 欧姆; 电流_泄漏电流：1µA; 耗散因数：6%; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：1206（3216 公制）; 制造商尺寸代码：A; 高度_座高（最大）：0.071"（1.80mm）; 特点：-; 工作温度：-55°C ~ 105°C; 包装：Digi-Reel®

NOJA475M010RWJ详细规格: 类别：氧化铌; 描述：CAP NIOB OXIDE 4.7UF 10V 1206; 系列：OxiCap® NOJ; 制造商：AVX Corporation; 电容：4.7µF; 电压_额定：10V; 容差：±20%; ESR（等效串联电阻）：3.1 欧姆; 电流_泄漏电流：1µA; 耗散因数：6%; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：1206（3216 公制）; 制造商尺寸代码：A; 高度_座高（最大）：0.071"（1.80mm）; 特点：-; 工作温度：-55°C ~ 105°C; 包装：带卷 (TR)

NOJA475M010RWJ详细规格: 类别：氧化铌; 描述：CAP NIOB OXIDE 4.7UF 10V 1206; 系列：OxiCap® NOJ; 制造商：AVX Corporation; 电容：4.7µF; 电压_额定：10V; 容差：±20%; ESR（等效串联电阻）：3.1 欧姆; 电流_泄漏电流：1µA; 耗散因数：6%; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：1206（3216 公制）; 制造商尺寸代码：A; 高度_座高（最大）：0.071"（1.80mm）; 特点：-; 工作温度：-55°C ~ 105°C; 包装：剪切带 (CT)

MIC2182BSM
PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Micrel Inc 16-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） IC REG CTRLR BUCK PWM CM 16-SSOP
NP100P06PLG-E1-AY
FET - 单 Renesas Electronics America TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET P-CH -60V MP-25ZP/TO-263
NOJA475M006RWJ
氧化铌 AVX Corporation 1206（3216 公制） CAP NIOB OXIDE 4.7UF 6.3V 1206
P1168.123NLT
固定式 Pulse Electronics Corporation 非标准 INDUCTOR PWR SHIELD 12UH SMD
MGA-565P8-TR1
RF 放大器 Avago Technologies US Inc. 8-DFN 裸露焊盘 IC AMP BUFFER RFIC 2GHZ 8-LPCC
HMK325B7105KN-T
陶瓷 Taiyo Yuden 1210（3225 公制） CAP CER 1UF 100V 10% X7R 1210
NOJC476M006RWJ
氧化铌 AVX Corporation 2312（6032 公制） CAP NIOB OXIDE 47UF 6.3V 2312
NSBC114TF3T5G
晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 ON Semiconductor SOT-1123 TRANS NPN W/RES 50V SOT1123
MIC2182YM
PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Micrel Inc 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC REG CTRLR BUCK PWM CM 16-SOIC
HMK325B7225KN-L
陶瓷 Taiyo Yuden 1206（3216 公制） CAP CER 2.2UF 100V 10% X7R 1206
P1168.242NLT
固定式 Pulse Electronics Corporation 非标准 INDUCTOR PWR SHIELD 2.4UH SMD
MGA-632P8-BLKG
RF 放大器 Avago Technologies US Inc. 8-WFDFN 裸露焊盘 IC AMP LNA MMIC GAAS SMD 8-TSLP
NSBC114YPDXV6T1
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 ON Semiconductor SOT-563，SOT-666 TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
NOJD107M010RWJ
氧化铌 AVX Corporation 2917（7343 公制） CAP NIOB OXIDE 100UF 10V 2917
NP32N055SHE-E1-AY
FET - 单 Renesas Electronics America TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 55V 32A TO-252

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MGA-565P8-TR1

HMK325B7105KN-T

NOJC476M006RWJ

NSBC114TF3T5G

MIC2182YM

HMK325B7225KN-L

P1168.242NLT

MGA-632P8-BLKG

NSBC114YPDXV6T1

NOJD107M010RWJ

NP32N055SHE-E1-AY