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NP0G3D200A 全国供应商、价格、PDF资料

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NP0G3D200A详细规格

类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
描述:TRANS ARRAY PNP/NPN SSS MINI-6P
系列:-
制造商:Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流_集电极333Ic444(最大):80mA
电压_集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器_基极333R1444(欧):4.7k,22k
电阻器_发射极333R2444(欧):4.7k,47k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:20 @ 5mA,10V / 80 @ 5mA,10V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
电流_集电极截止(最大):500nA
频率_转换:150MHz,80MHz
功率_最大:125mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-963
供应商设备封装:SSS迷你型6-F1
包装:剪切带 (CT)

NP0G3D200A详细规格

类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
描述:TRANS ARRAY PNP/NPN SSS MINI-6P
系列:-
制造商:Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流_集电极333Ic444(最大):80mA
电压_集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器_基极333R1444(欧):4.7k,22k
电阻器_发射极333R2444(欧):4.7k,47k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:20 @ 5mA,10V / 80 @ 5mA,10V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
电流_集电极截止(最大):500nA
频率_转换:150MHz,80MHz
功率_最大:125mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-963
供应商设备封装:SSS迷你型6-F1
包装:带卷 (TR)

NP0G3D200A详细规格

类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
描述:TRANS ARRAY PNP/NPN SSS MINI-6P
系列:-
制造商:Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流_集电极333Ic444(最大):80mA
电压_集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器_基极333R1444(欧):4.7k,22k
电阻器_发射极333R2444(欧):4.7k,47k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:20 @ 5mA,10V / 80 @ 5mA,10V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
电流_集电极截止(最大):500nA
频率_转换:150MHz,80MHz
功率_最大:125mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-963
供应商设备封装:SSS迷你型6-F1
包装:Digi-Reel®

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