NP100P04PDG 全国供应商、价格、PDF资料
NP100P04PDG-E1-AY详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH -40V MP-25ZP/TO-263
- 系列:-
- 制造商:Renesas Electronics America
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:100A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.5 毫欧 @ 50A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:320nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:15100pF @ 10V
- 功率_最大:1.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:TO-263
- 包装:带卷 (TR)
- 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563
- PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Micrel Inc 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC REG CTRLR BUCK PWM CM 16-SOIC
- 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products SOT-963 TRANS ARRAY PNP/PNP SSS MINI-6P
- 陶瓷 Taiyo Yuden 1206(3216 公制) CAP CER 0.22UF 100V 10% X7R 1206
- 氧化铌 AVX Corporation 2312(6032 公制) CAP NIOB OXIDE 220UF 4V 2312
- RF 放大器 Avago Technologies US Inc. 28-VFQFN 裸露焊盘 IC PWR AMP 2.3-2.5GHZ 28QFN
- 氧化铌 AVX Corporation 1206(3216 公制) CAP NIOB OXIDE 15UF 6.3V 1206
- 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
- 陶瓷 Taiyo Yuden 1206(3216 公制) CAP CER 0.22UF 100V 20% X7R 1206
- PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Micrel Inc 16-SSOP(0.209",5.30mm 宽) IC REG CTRLR BUCK PWM CM 16-SSOP
- RF 放大器 Avago Technologies US Inc. TO-243AA IC RF AMP GAAS MMIC 3GHZ SOT-89
- 氧化铌 AVX Corporation 1206(3216 公制) CAP NIOB OXIDE 22UF 4V 1206
- 陶瓷 Taiyo Yuden 1206(3216 公制) CAP CER 0.47UF 100V 10% X7R 1206
- 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
- 固定式 Pulse Electronics Corporation 非标准 INDUCTOR PWR SHIELD 1.0UH SMD