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NP100P06PLG-E1-AY详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH -60V MP-25ZP/TO-263; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：100A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫欧 @ 50A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：300nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：15000pF @ 10V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：TO-263; 包装：带卷 (TR)

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NP100P04PDG-E1-AY
FET - 单 Renesas Electronics America TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET P-CH -40V MP-25ZP/TO-263
MIC2182-5.0YSM TR
PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Micrel Inc 16-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） IC REG CTRLR BUCK PWM CM 16-SSOP
MGA-53589-BLKG
RF 放大器 Avago Technologies US Inc. TO-243AA IC RF AMP GAAS MMIC 3GHZ SOT-89
NOJA226M004RWJ
氧化铌 AVX Corporation 1206（3216 公制） CAP NIOB OXIDE 22UF 4V 1206
HMK316B7474KL-T
陶瓷 Taiyo Yuden 1206（3216 公制） CAP CER 0.47UF 100V 10% X7R 1206
NSBC114EDXV6T1
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 ON Semiconductor SOT-563，SOT-666 TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
P1168.102NLT
固定式 Pulse Electronics Corporation 非标准 INDUCTOR PWR SHIELD 1.0UH SMD
NOJC336M010RWJ
氧化铌 AVX Corporation 2312（6032 公制） CAP NIOB OXIDE 33UF 10V 2312
NOJA475M006RWJ
氧化铌 AVX Corporation 1206（3216 公制） CAP NIOB OXIDE 4.7UF 6.3V 1206
P1168.123NLT
固定式 Pulse Electronics Corporation 非标准 INDUCTOR PWR SHIELD 12UH SMD
MGA-565P8-TR1
RF 放大器 Avago Technologies US Inc. 8-DFN 裸露焊盘 IC AMP BUFFER RFIC 2GHZ 8-LPCC
HMK325B7105KN-T
陶瓷 Taiyo Yuden 1210（3225 公制） CAP CER 1UF 100V 10% X7R 1210
NOJC476M006RWJ
氧化铌 AVX Corporation 2312（6032 公制） CAP NIOB OXIDE 47UF 6.3V 2312
NSBC114TF3T5G
晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 ON Semiconductor SOT-1123 TRANS NPN W/RES 50V SOT1123

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