NSS12100XV6T1G 全国供应商、价格、PDF资料

NSS12100XV6T1G详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PNP 1A 12V SOT-563

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：1A

电压_集电极发射极击穿（最大）：12V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：440mV @ 100mA，1A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 500mA，2V

功率_最大：500mW

频率_转换：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-563，SOT-666

供应商设备封装：SOT-563

包装：带卷 (TR)

NSS12100XV6T1G详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PNP 1A 12V SOT-563

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：1A

电压_集电极发射极击穿（最大）：12V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：440mV @ 100mA，1A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 500mA，2V

功率_最大：500mW

频率_转换：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-563，SOT-666

供应商设备封装：SOT-563

包装：剪切带 (CT)

NSS12100XV6T1G详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PNP 1A 12V SOT-563

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：1A

电压_集电极发射极击穿（最大）：12V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：440mV @ 100mA，1A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 500mA，2V

功率_最大：500mW

频率_转换：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-563，SOT-666

供应商设备封装：SOT-563

包装：Digi-Reel®