NST3906F3T5G 全国供应商、价格、PDF资料

NST3906F3T5G详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PNP GP SOT-1123

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：200mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：40V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：400mV @ 5mA，50mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 10mA，1V

功率_最大：290mW

频率_转换：250MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-1123

供应商设备封装：SOT-1123

包装：Digi-Reel®

NST3906F3T5G详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PNP GP SOT-1123

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：200mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：40V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：400mV @ 5mA，50mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 10mA，1V

功率_最大：290mW

频率_转换：250MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-1123

供应商设备封装：SOT-1123

包装：剪切带 (CT)

NST3906F3T5G详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PNP GP SOT-1123

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：200mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：40V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：400mV @ 5mA，50mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 10mA，1V

功率_最大：290mW

频率_转换：250MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-1123

供应商设备封装：SOT-1123

包装：带卷 (TR)