NTP5863NG详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 97A TO-220AB
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：97A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.8 毫欧 @ 20A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：55nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：3200pF @ 25V
- 功率_最大：150W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
- 网络、阵列 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 200 OHM 4 RES 1206
- 光学 - 光断续器 - 槽型 - 逻辑输出 TT Electronics/Optek Technology PCB 安装 SWITCH PHOTOLOGIC SLOTTD OPTICAL
- FET - 单 ON Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 220A TO-220-3
- 固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 68NH 10% 1210
- 单二极管/齐纳 ON Semiconductor SOD-123 DIODE ZENER 24V 500MW SOD-123
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 4MBIT 150MHZ 100TQFP
- 网络、阵列 Vishay Thin Film 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） RES NET 50K OHM 5 RES 8-SOIC
- 网络、阵列 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 2K OHM 4 RES 1206
- TVS - 二极管 Diodes Inc DO-204AC，DO-15，轴向 TVS UNI-DIR 33V 600W DO-15
- 固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 6.8UH 10% 1210
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 4MBIT 65NS 100TQFP
- 单二极管/齐纳 ON Semiconductor SOD-123 DIODE ZENER 24V 500MW SOD-123
- 网络、阵列 Vishay Thin Film 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） RES NET MULT OHM 5 RES 8-SOIC
- 网络、阵列 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 20K OHM 4 RES 1206
- FET - 单 ON Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 63A TO-220
0755-22929859 
0755-83242658 
0755-23919407 
0755-83245050 
0755-83777708 
0755-82574045 
0755-22655674 
0755-83242762 
19166203057 
0755-83951431 
0755-83051566 
0755-83798683 
0755-84507209 
83209217 
13509684848 
