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NTZD5110NT1G 全国供应商、价格、PDF资料

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NTZD5110NT1G详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET N-CH DUAL 60V SOT563
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:294mA
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.6 欧姆 @ 500mA,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:0.7nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:24.5pF @ 20V
功率_最大:250mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商设备封装:SOT-563
包装:Digi-Reel®

NTZD5110NT1G详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET N-CH DUAL 60V SOT563
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:294mA
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.6 欧姆 @ 500mA,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:0.7nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:24.5pF @ 20V
功率_最大:250mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商设备封装:SOT-563
包装:剪切带 (CT)

NTZD5110NT1G详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET N-CH DUAL 60V SOT563
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:294mA
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.6 欧姆 @ 500mA,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:0.7nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:24.5pF @ 20V
功率_最大:250mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商设备封装:SOT-563
包装:带卷 (TR)

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