PBLS2003S,115的供应信息|PDF资料|求购PBLS2003S,115上51电子网

PBLS2003S,115详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：LOADSWITCH PNP 20V 3A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA，3A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V，20V; 电阻器_基极333R1444（欧）：10k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：10k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V / 150 @ 2A，2V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：150mV @ 500µA，10mA / 355mV @ 300mA，3A; 电流_集电极截止（最大）：1µA，100nA; 频率_转换：100MHz; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：带卷 (TR)

PBLS2003S,115详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：LOADSWITCH PNP 20V 3A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA，3A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V，20V; 电阻器_基极333R1444（欧）：10k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：10k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V / 150 @ 2A，2V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：150mV @ 500µA，10mA / 355mV @ 300mA，3A; 电流_集电极截止（最大）：1µA，100nA; 频率_转换：100MHz; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：Digi-Reel®

PBLS2003S,115详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：LOADSWITCH PNP 20V 3A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA，3A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V，20V; 电阻器_基极333R1444（欧）：10k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：10k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V / 150 @ 2A，2V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：150mV @ 500µA，10mA / 355mV @ 300mA，3A; 电流_集电极截止（最大）：1µA，100nA; 频率_转换：100MHz; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：剪切带 (CT)

PBLS2003S,115详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：LOADSWITCH PNP 20V 3A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA，3A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V，20V; 电阻器_基极333R1444（欧）：10k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：10k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V / 150 @ 2A，2V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：150mV @ 500µA，10mA / 355mV @ 300mA，3A; 电流_集电极截止（最大）：1µA，100nA; 频率_转换：100MHz; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SO; 包装：带卷 (TR)

P4SMA10CAHE3/5A
TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS 400W 10V 5% BIDIR SMA
OSTYK33321030
接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 21CIRC 8.25MM
PBLS2002S,115
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 NXP Semiconductors 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） LOADSWITCH PNP 20V 3A 8-SOIC
NX5032GA-13.560000MHZ-LN-CD-1
晶体 NDK 2-SMD CRYSTAL 13.560000 MHZ 8PF SMD
OSTHW185050
接线座 - 接头，插头和插口 On Shore Technology Inc TERMINAL BLOCK PLUG 5.08MM 18POS
IRFP460APBF
FET - 单 Vishay Siliconix TO-247-3 MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC
P1168.103NLT
固定式 Pulse Electronics Corporation 非标准 INDUCTOR PWR SHIELD 10UH SMD
OSTVC130050
接线座 - 接头，插头和插口 On Shore Technology Inc CONN TERM BLK HDR 13POS 7.62MM
P4SMA110A
TVS - 二极管 Littelfuse Inc DO-214AC，SMA DIODE TVS 400W 110V UNI 5% SMD
NX5032GA-16.000000MHZ-LN-CD-1
晶体 NDK 2-SMD CRYSTAL 16.000000 MHZ 8PF SMD
OSTHW195051
接线座 - 接头，插头和插口 On Shore Technology Inc TERMINAL BLOCK PLUG 5.08MM 19POS
IRFPE50PBF
FET - 单 Vishay Siliconix TO-247-3 MOSFET N-CH 800V 7.8A TO-247AC
P1168.223NLT
固定式 Pulse Electronics Corporation 非标准 INDUCTOR PWR SHIELD 22UH SMD
P4SMA11C
TVS - 二极管 Littelfuse Inc DO-214AC，SMA DIODE TVS 400W 11V BI 10% SMD
OSTVC170050
接线座 - 接头，插头和插口 On Shore Technology Inc CONN TERM BLK HDR 17POS 7.62MM

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