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PBLS2004D,115 全国供应商、价格、PDF资料

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PBLS2004D,115详细规格

类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
描述:LOADSWITCH PNP 20V 1A 6TSOP
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶体管类型:1 NPN 预偏压式,1 PNP
电流_集电极333Ic444(最大):100mA,1A
电压_集电极发射极击穿(最大):50V,20V
电阻器_基极333R1444(欧):22k
电阻器_发射极333R2444(欧):22k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:60 @ 5mA,5V / 220 @ 500mA,2V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):150mV @ 500µA,10mA / 280mV @ 100mA,1A
电流_集电极截止(最大):1µA,100nA
频率_转换:185MHz
功率_最大:600mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-74,SOT-457
供应商设备封装:6-TSOP
包装:Digi-Reel®

PBLS2004D,115详细规格

类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
描述:LOADSWITCH PNP 20V 1A 6TSOP
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶体管类型:1 NPN 预偏压式,1 PNP
电流_集电极333Ic444(最大):100mA,1A
电压_集电极发射极击穿(最大):50V,20V
电阻器_基极333R1444(欧):22k
电阻器_发射极333R2444(欧):22k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:60 @ 5mA,5V / 220 @ 500mA,2V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):150mV @ 500µA,10mA / 280mV @ 100mA,1A
电流_集电极截止(最大):1µA,100nA
频率_转换:185MHz
功率_最大:600mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-74,SOT-457
供应商设备封装:6-TSOP
包装:剪切带 (CT)

PBLS2004D,115详细规格

类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
描述:LOADSWITCH PNP 20V 1A 6TSOP
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶体管类型:1 NPN 预偏压式,1 PNP
电流_集电极333Ic444(最大):100mA,1A
电压_集电极发射极击穿(最大):50V,20V
电阻器_基极333R1444(欧):22k
电阻器_发射极333R2444(欧):22k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:60 @ 5mA,5V / 220 @ 500mA,2V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):150mV @ 500µA,10mA / 280mV @ 100mA,1A
电流_集电极截止(最大):1µA,100nA
频率_转换:185MHz
功率_最大:600mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-74,SOT-457
供应商设备封装:6-TSOP
包装:带卷 (TR)

PBLS2004D,115详细规格

类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
描述:LOADSWITCH PNP 20V 1A 6TSOP
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶体管类型:1 NPN 预偏压式,1 PNP
电流_集电极333Ic444(最大):100mA,1A
电压_集电极发射极击穿(最大):50V,20V
电阻器_基极333R1444(欧):22k
电阻器_发射极333R2444(欧):22k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:60 @ 5mA,5V / 220 @ 500mA,2V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):150mV @ 500µA,10mA / 280mV @ 100mA,1A
电流_集电极截止(最大):1µA,100nA
频率_转换:185MHz
功率_最大:600mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-74,SOT-457
供应商设备封装:6-TSOP
包装:带卷 (TR)

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