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PDTA114ET,215 全国供应商、价格、PDF资料

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PDTA114ET,215详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
描述:TRANS PNP W/RES 50V SOT-23
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶体管类型:PNP - 预偏压
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器_基极333R1444(欧):10k
电阻器_发射极333R2444(欧):10k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):150mV @ 500µA,10mA
电流_集电极截止(最大):1µA
频率_转换:-
功率_最大:250mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:TO-236AB
包装:剪切带 (CT)

PDTA114ET,215详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
描述:TRANS PNP W/RES 50V SOT-23
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶体管类型:PNP - 预偏压
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器_基极333R1444(欧):10k
电阻器_发射极333R2444(欧):10k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):150mV @ 500µA,10mA
电流_集电极截止(最大):1µA
频率_转换:-
功率_最大:250mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:TO-236AB
包装:Digi-Reel®

PDTA114ET,215详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
描述:TRANS PNP W/RES 50V SOT-23
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶体管类型:PNP - 预偏压
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器_基极333R1444(欧):10k
电阻器_发射极333R2444(欧):10k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):150mV @ 500µA,10mA
电流_集电极截止(最大):1µA
频率_转换:-
功率_最大:250mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:TO-236AB
包装:带卷 (TR)

PDTA114ET,215详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
描述:TRANS PNP W/RES 50V SOT-23
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶体管类型:PNP - 预偏压
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器_基极333R1444(欧):10k
电阻器_发射极333R2444(欧):10k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:30 @ 5mA,5V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):150mV @ 500µA,10mA
电流_集电极截止(最大):1µA
频率_转换:-
功率_最大:250mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:TO-236AB
包装:带卷 (TR)

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