SDR6603-6R8M 全国供应商、价格、PDF资料
SDR6603-6R8M详细规格
- 类别:固定式
- 描述:INDUCTOR POWER 6.8UH 1.4A SMD
- 系列:SDR6603
- 制造商:Bourns Inc.
- 类型:铁氧体芯体
- 电感:6.8µH
- 电流:
- 额定电流:1.4A
- 电流_饱和值:1.2A
- 容差:±20%
- 材料_磁芯:铁氧体
- 屏蔽:无屏蔽
- DC电阻333DCR444:最大 130 毫欧
- 不同频率时的Q值:15.5 @ 7.96MHz
- 频率_自谐振:45MHz
- 工作温度:-40°C ~ 125°C
- 封装/外壳:非标准
- 大小/尺寸:0.260" L x 0.175" W x 0.115" H(6.60mm x 4.45mm x 2.92mm)
- 安装类型:表面贴装
- 包装:带卷 (TR)
SDR6603-6R8M详细规格
- 类别:固定式
- 描述:INDUCTOR POWER 6.8UH 1.4A SMD
- 系列:SDR6603
- 制造商:Bourns Inc.
- 类型:铁氧体芯体
- 电感:6.8µH
- 电流:
- 额定电流:1.4A
- 电流_饱和值:1.2A
- 容差:±20%
- 材料_磁芯:铁氧体
- 屏蔽:无屏蔽
- DC电阻333DCR444:最大 130 毫欧
- 不同频率时的Q值:15.5 @ 7.96MHz
- 频率_自谐振:45MHz
- 工作温度:-40°C ~ 125°C
- 封装/外壳:非标准
- 大小/尺寸:0.260" L x 0.175" W x 0.115" H(6.60mm x 4.45mm x 2.92mm)
- 安装类型:表面贴装
- 包装:剪切带 (CT)
- 连接器,互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 11POS WALL MNT W/SCKT
- FET - 单 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 800V 4A TO-220AB
- 逻辑 - 栅极和逆变器 Texas Instruments 5-XFBGA,WLCSP IC POS-NAND GATE 2IN 5-DSBGA
- 固定式 Bourns Inc. 非标准 INDUCTOR POWER 1.0UH 2.9A SMD
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Texas Instruments 20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC LOW RS-232 DRVR/REC 20-SOIC
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
- 陶瓷 AVX Corporation 1111(2828 公制) CAP CER 36PF 500V 2% 1111
- 连接器,互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 28POS WALL MNT W/PINS
- FET - 单 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 650V 6.6A TO-220
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Texas Instruments 20-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC LOW RS-232 DRIVER/REC 20TSSOP
- FET - 单 Micro Commercial Co TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23
- 逻辑 - 栅极和逆变器 Texas Instruments SC-74A,SOT-753 IC GATE NOR 2-INP SOT23-5
- FET - 单 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
- 陶瓷 AVX Corporation 1111(2828 公制) CAP CER 39PF 500V 2% 1111
- 连接器,互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 28POS WALL MNT W/PINS