SI2308BDS-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:156 毫欧 @ 1.9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:6.8nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:190pF @ 30V
- 功率_最大:1.66W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:Digi-Reel®
SI2308BDS-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:156 毫欧 @ 1.9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:6.8nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:190pF @ 30V
- 功率_最大:1.66W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:剪切带 (CT)
SI2308BDS-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:156 毫欧 @ 1.9A,10V
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- 输入电容333Ciss4440a0Vds:190pF @ 30V
- 功率_最大:1.66W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:带卷 (TR)
SI2308BDS-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:156 毫欧 @ 1.9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:6.8nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:190pF @ 30V
- 功率_最大:1.66W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:Digi-Reel®
SI2308BDS-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:156 毫欧 @ 1.9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:6.8nC @ 10V
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- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:剪切带 (CT)
SI2308BDS-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:156 毫欧 @ 1.9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:6.8nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:190pF @ 30V
- 功率_最大:1.66W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:带卷 (TR)
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 0.033UF 50V 10% RADIAL
- 固定式 Bourns Inc. 非标准 INDUCTOR POWER 680UH 0.80A SMD
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 220PF 100V 5% RADIAL
- 存储器,PC 卡 Swissbit NA Inc 径向,Can - QC 端子 FLASH SLC UDMA/MDMA/PIO 4G
- 键锁式 NKK Switches DO-214AB,SMC SWITCH KEYLOCK SP5T .4VA PC 9MM
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206(3216 公制) RES 866K OHM 1/4W .25% SMD 1206
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 820PF 100V 5% RADIAL
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 3900PF 50V 10% RADIAL
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 220PF 100V 5% RADIAL
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向,Can - QC 端子 CAP FILM 60UF 440VAC QC TERM
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 3900PF 50V 10% RADIAL
- 单二极管/整流器 Micro Commercial Co DO-214AA,SMB DIODE SCHOTTKY 1A 60V SMB
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206(3216 公制) RES 88.7 OHM 1/4W .25% SMD 1206
- 固定式 Bourns Inc. 非标准 INDUCTOR POWER 82UH 1.95A SMD