SI4210 全国供应商、价格、PDF资料

SI4210-A-IF-EVB详细规格

类别：过时/停产零件编号

描述：BOARD INTERFACE FOR SI4210

系列：-

制造商：Silicon Laboratories Inc

ADC数：

DAC数：

主要用途：

传感器类型：

模块/板类型：

每IC通道数：

类型：

转换自（适配器端）：

配件类型：

位数：

嵌入式：

应用：

感应范围：

放大器类型：

转换至（适配器端）：

输出和类型：

配套使用产品/相关产品：

不同负载时的最大输出功率x通道数：

使用的IC/零件：

内容：

功率_输出：

安装类型：

接口：

输出类型：

采样率（每秒）：

主要属性：

压摆率：

封装/外壳：

数据接口：

灵敏度：

特性：

电压_电源：

电压_输出：

_3db带宽：

SI4210-A-IF-EVB详细规格

类别：过时/停产零件编号

描述：BOARD INTERFACE FOR SI4210

系列：-

制造商：Silicon Laboratories Inc

SI4210-A-IF-EVB详细规格

类别：过时/停产零件编号

描述：BOARD INTERFACE FOR SI4210

系列：-

制造商：Silicon Laboratories Inc

模块/板类型：

类型：

适用于相关产品：

所含物品：

SI4210-D-GM详细规格

类别：接口 - 驱动器，接收器，收发器

描述：IC TXRX QUAD-BAND 32QFN

系列：-

制造商：Silicon Laboratories Inc

类型：收发器

驱动器/接收器数：4/4

协议：-

电压_电源：2.7 V ~ 3 V

安装类型：表面贴装

封装/外壳：32-VFQFN 裸露焊盘

供应商器件封装：32-QFN（5x5）

包装：管件

SI4210DY-T1-GE3详细规格

类别：FET - 阵列

描述：MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：2 个 N 沟道（双）

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：30V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.5A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35.5 毫欧 @ 5A，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：445pF @ 15V

功率_最大：2.7W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商设备封装：8-SOIC N

包装：剪切带 (CT)

SI4210DY-T1-GE3详细规格

类别：FET - 阵列

描述：MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：2 个 N 沟道（双）

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：30V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.5A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35.5 毫欧 @ 5A，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：445pF @ 15V

功率_最大：2.7W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商设备封装：8-SOIC N

包装：Digi-Reel®