SI4403BDY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 7.3A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:7.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:17 毫欧 @ 9.9A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 350µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.35W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
SI4403BDY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 7.3A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:7.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:17 毫欧 @ 9.9A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 350µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.35W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4403BDY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 7.3A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:7.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:17 毫欧 @ 9.9A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 350µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.35W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
SI4403BDY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 7.3A 8SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:7.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:17 毫欧 @ 9.9A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 350µA
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- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
SI4403BDY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 7.3A 8SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:7.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:17 毫欧 @ 9.9A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 350µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.35W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
SI4403BDY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 7.3A 8SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:7.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:17 毫欧 @ 9.9A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 350µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.35W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
- LED- 高亮度电源模块 Luminus Devices Inc BIG CHIP LED HB MODULE WHITE
- PTC 可复位保险丝 TE Connectivity 径向 POLYSWITCH RUE SERIES 1.85A
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 40V 8-SOIC
- FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH DUAL 25V 8A 8-SOIC
- 网络、阵列 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制),凸起 RES ARRAY 3K OHM 4 RES 1206
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AA,SMB TVS BIDIR 600W 18V 5% SMB
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 3900PF 50V 1% RADIAL
- 配件 Red Lion Controls 8-TSST RETRO-REFLECTIVE TARGET 3"
- 热缩管 TE Connectivity HEAT SHRINK TUBING
- FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH DUAL 25V 8A 8-SOIC
- 网络、阵列 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制),凸起 RES ARRAY 330 OHM 4 RES 1206
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AA,SMB TVS BIDIR 600W 18V 5% SMB
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 4700PF 50V 2% RADIAL
- 功率,高于 2 安 TE Connectivity 2010(5025 公制) RELAY GEN PURPOSE SPDT 12A 110V
- 嵌入式 - 微控制器, Microchip Technology 44-TQFP IC MCU 8BIT 72KB FLASH 44TQFP