SI4412ADY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:24 毫欧 @ 8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4412ADY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:24 毫欧 @ 8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
- FET - 阵列 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 双 MOSFET DUAL N-CH 60V 1212-8
- 共模扼流圈 Bourns Inc. 水平式,4 PC 板 INDUCTOR COMMON MODE 67 OHM 25%
- 矩形- 接头,插座,母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 48POS SNGL TIN
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 20POS R/A .156 SLD
- TVS - 二极管 STMicroelectronics DO-214AC,SMA TRANSIL 600W 39V BIDIRECT SMA
- 单二极管/整流器 Micro Commercial Co DO-214AB,SMC RECT SCHOTTKY 3A 40V DO-214AB
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-PowerPak? CHIPFET? MOSFET N-CH D-S 30V PPAK CHIPFET
- FET - 阵列 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 双 MOSFET DUAL N-CH 40V 1212-8
- 矩形- 接头,插座,母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 48POS SNGL GOLD
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SMD,扁平引线 MOSFET P-CH D-S 20V CHIPFET
- TVS - 二极管 STMicroelectronics DO-214AC,SMA TRANSIL 600W 82V UNIDIR SMA
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 20POS R/A .156 SLD
- FET - 阵列 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 双 MOSFET DUAL N-CH 40V 1212-8
- 单二极管/整流器 Micro Commercial Co DO-214AB,SMC RECT SCHOTTKY 3A 50V DO-214AB
- 共模扼流圈 Bourns Inc. 水平式,4 PC 板 INDUCTOR COMMON MODE 22UH 0.2A