SI4418DY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:130 毫欧 @ 3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:30nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
SI4418DY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:130 毫欧 @ 3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:30nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
SI4418DY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:130 毫欧 @ 3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:30nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4418DY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 200V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:130 毫欧 @ 3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:30nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
SI4418DY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 200V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:130 毫欧 @ 3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:30nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4418DY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 200V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:130 毫欧 @ 3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:30nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
- 圆形 - 外壳 Amphenol Industrial Operations CONN HSG PLUG 66POS STRGHT PIN
- 连接器,互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 47POS BOX MNT W/PINS
- 固定式 API Delevan Inc 1210(3225 公制) INDUCTOR PWR SHIELDED 56.0UH SMD
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC
- 振荡器 EPSON 4-SOJ,5.08mm 间距 OSCILLATOR 32.0000MHZ SMD
- 连接器,互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 18POS WALL MNT W/SCKT
- 通孔电阻器 Vishay BC Components 轴向 RES 255K OHM METAL FILM .40W 1%
- 固定式 API Delevan Inc 1210(3225 公制) INDUCTOR PWR SHIELDED .680UH SMD
- 连接器,互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 47POS BOX MNT W/PINS
- 连接器,互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 18POS WALL MNT W/SCKT
- 振荡器 EPSON 4-SOJ,5.08mm 间距 OSCILLATOR 32.7680MHZ SMD
- 通孔电阻器 Vishay BC Components 轴向 RES 25.5 OHM METAL FILM .40W 1%
- 固定式 API Delevan Inc 1210(3225 公制) INDUCTOR PWR SHIELDED 6.80UH SMD
- FET - 单 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
- 连接器,互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN PLUG 66POS STRAIGHT W/PINS