SI4484EY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:34 毫欧 @ 6.9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:30nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
SI4484EY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:34 毫欧 @ 6.9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:30nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
SI4484EY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:34 毫欧 @ 6.9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:30nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4484EY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:34 毫欧 @ 6.9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:30nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
SI4484EY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:34 毫欧 @ 6.9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:30nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4484EY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:34 毫欧 @ 6.9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:30nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC
- 网络、阵列 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制),凸起 RES ARRAY 100K OHM 4 RES 1206
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AA,SMB TVS BIDIR 600W 100V 5% SMB
- 网络、阵列 CTS Resistor Products 24-TBGA RES NET 4.7K OHM 16 RES 24TBGA
- 存储器 Microchip Technology 48-WFBGA IC FLASH MPF 8MBIT 90NS 48WFBGA
- 过时/停产零件编号 Silicon Laboratories Inc BOARD EVAL FOR SI4300
- AC DC 转换器 TDK-Lambda Americas Inc SC-70,SOT-323 POWER SUPPLY IND 24V 2.2A 53W
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 1000PF 50V 5% RADIAL
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AA,SMB TVS BIDIR 600W 100V 5% SMB
- 存储器 Microchip Technology 48-TFBGA IC FLASH MPF 8MBIT 90NS 48TFBGA
- 网络、阵列 CTS Resistor Products 18-LBGA RES NET 25 OHM 16 RES 18-LBGA
- AC DC 转换器 TDK-Lambda Americas Inc SC-70,SOT-323 POWER SUPPLY IND 28V 11A 308W
- RF 接收器 Silicon Laboratories Inc 20-VFQFN 裸露焊盘 IC RX FSK 315-915MHZ 20VQFN
- TVS - 二极管 STMicroelectronics DO-214AA,SMB TRANSIL 600W 12V UNIDIR SMB
- 网络、阵列 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制),凸起 RES ARRAY 1M OHM 4 RES 1206