SI4532ADY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.7A,3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:53 毫欧 @ 4.9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:16nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.13W,1.2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4532ADY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.7A,3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:53 毫欧 @ 4.9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:16nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.13W,1.2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4532CDY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6A,4.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:47 毫欧 @ 3.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:9nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:305pF @ 15V
- 功率_最大:2.78W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4532CDY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6A,4.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:47 毫欧 @ 3.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:9nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:305pF @ 15V
- 功率_最大:2.78W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
SI4532CDY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6A,4.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:47 毫欧 @ 3.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:9nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:305pF @ 15V
- 功率_最大:2.78W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
SI4532DY详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH DUAL 30V SO-8
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.9A,3.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:65 毫欧 @ 3.9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:235pF @ 10V
- 功率_最大:900mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:SO-8
- 包装:剪切带 (CT)
- FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
- FET - 单 STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 60A TO-220
- 评估板 - LED 驱动器 STMicroelectronics BOARD EVAL LED DRIVER STLD41
- 钽 Vishay Sprague 1507(3718 公制) CAP TANT 6.8UF 6.3V 10% 1507
- 连接器,互连器件 Switchcraft Inc. 4-SMD,无引线(DFN,LCC) CONN PLUG CORD 3POS FEMALE MINI
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC OPAMP GP R-R 2.25MHZ 8SOIC
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC OPAMP GP R-R 220KHZ SGL 8SOIC
- FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
- 钽 Vishay Sprague 2910(7227 公制) CAP TANT 33UF 4V 20% 2910
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC OPAMP GP R-R 2.25MHZ 8TSSOP
- 连接器,互连器件 Switchcraft Inc. 4-SMD,无引线(DFN,LCC) CONN PLUG 3POS FEMALE
- 钽 Vishay Sprague 1507(3718 公制) CAP TANT 6.8UF 6.3V 10% 1507
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments SC-74A,SOT-753 IC OPAMP GP R-R 220KHZ SOT23-5
- FET - 阵列 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N/P-CH DUAL 30V SO-8
- FET - 单 STMicroelectronics TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 650V 11.0A TO220FP