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SI4542DY-T1-E3 全国供应商、价格、PDF资料

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SI4542DY-T1-E3详细规格

类别：FET - 阵列
描述：MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
系列：TrenchFET®
制造商：Vishay Siliconix
FET型：N 和 P 沟道
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：-
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫欧 @ 6.9A，10V
Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：-
功率_最大：-
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装：8-SOIC N
包装：带卷 (TR)

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