SI4660DY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 25V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:23.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.8 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:45nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2410pF @ 15V
- 功率_最大:5.6W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4660DY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:23.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.8 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:45nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2410pF @ 15V
- 功率_最大:5.6W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4660DY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:23.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.8 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:45nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2410pF @ 15V
- 功率_最大:5.6W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
SI4660DY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:23.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.8 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:45nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2410pF @ 15V
- 功率_最大:5.6W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
SI4666DY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 25V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:16.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:34nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1145pF @ 10V
- 功率_最大:5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
SI4666DY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 25V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:16.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:34nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1145pF @ 10V
- 功率_最大:5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
- TVS - 二极管 STMicroelectronics DO-214AA,SMB IC TVS BIDIRECT 600W 19V SMB
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 27PF 50V 5% RADIAL
- 网络、阵列 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制),凸起 RES ARRAY 240K OHM 4 RES 1206
- DC DC Converters Recom Power 7-SIP 模块(6 引线) CONV DC/DC 1W 3.3VIN 0505VOUT
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC
- 配件 Red Lion Controls 8-TSST RETRO-REFLECTIVE TARGET 3"
- LED- 高亮度电源模块 Luminus Devices Inc BIG CHIP LED HB MODULE WHITE
- DC DC Converters Recom Power 7-SIP 模块(6 引线) CONV DC/DC 1W 3.3VIN 0505VOUT
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 330PF 50V 1% RADIAL
- LED- 高亮度电源模块 Luminus Devices Inc BIG CHIP LED HB MODULE WHITE
- 配件 Red Lion Controls 8-TSST RETRO-REFLECTIVE TARGET 3"
- PTC 可复位保险丝 TE Connectivity 径向 POLYSWITCH RUE SERIES 1.35A
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 330PF 50V 10% RADIAL
- FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
- 网络、阵列 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制),凸起 RES ARRAY 300 OHM 4 RES 1206