SI4800BDY-T1 全国供应商、价格、PDF资料
SI4800BDY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18.5 毫欧 @ 9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.8V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
SI4800BDY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18.5 毫欧 @ 9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.8V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
SI4800BDY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18.5 毫欧 @ 9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.8V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4800BDY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18.5 毫欧 @ 9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.8V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4800BDY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18.5 毫欧 @ 9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.8V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
SI4800BDY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18.5 毫欧 @ 9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.8V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
- PTC 可复位保险丝 TE Connectivity 径向 POLYSWITCH PTC RESET 1.85A T/R
- TVS - 二极管 Micro Commercial Co DO-214AC,SMA TVS 400W 20V UNIDIRECT SMA
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 逻辑 - 专用逻辑 NXP Semiconductors 160-TFBGA IC BUFFER 1.8V 28BIT SOT802
- PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Richtek USA Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm Width)裸露焊盘 IC REG BUCK SYNC ADJ 3A 8SOP
- TVS - 二极管 Micro Commercial Co TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TVS DIODE 12V 400W 2CH BI SOT23
- 网络、阵列 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制),凸起 RES ARRAY 390 OHM 8 RES 1206
- TVS - 二极管 Bourns Inc. DO-214AC,SMA DIODE TVS 20V 400W BI 5% SMD
- PTC 可复位保险丝 TE Connectivity 径向 POLYSWITCH PTC RESET 1.85A AMMO
- 逻辑 - 专用逻辑 IDT, Integrated Device Technology Inc 96-LFBGA IC REGIST BUFF 25BIT DDR2 96-BGA
- PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Richtek USA Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm Width)裸露焊盘 IC REG BUCK SYNC ADJ 4A 8SOP
- 网络、阵列 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制),凸起 RES ARRAY 430 OHM 8 RES 1206
- PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 IC REG LDO 5V .1A TO-252-3
- TVS - 二极管 Bourns Inc. DO-214AC,SMA DIODE TVS 20V 400W BI 5% SMD