SI4866DY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:11A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.5 毫欧 @ 17A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):600mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:30nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.6W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4866DY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:11A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.5 毫欧 @ 17A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):600mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:30nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.6W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
- 标签,标记 3M (TC) LABEL 4X4" BLACK ON WHITE 500/PK
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 2200PF 500V 20% RADIAL
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC
- 陶瓷 AVX Corporation 0605(1613 公制) CAP CER 2.7PF 150V 0605
- DC DC Converters Bel Fuse Inc 7-DIP SMD 模块 CONV DC/DC 3A 12V 1.8VOUT SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0603(1608 公制) RES 154 OHM 1/10W .5% 0603 SMD
- FET - 阵列 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 双 MOSFET N-CH DL 20V PPAK 1212-8
- 陶瓷 AVX Corporation 1111(2828 公制) CAP CER 510PF 150V 5% 1111
- 标签,标记 3M (TC) LABEL 5X3" BLACK ON RED 50/PK
- 陶瓷 AVX Corporation 0605(1613 公制) CAP CER 30PF 150V 1% 0605
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0603(1608 公制) RES 158K OHM 1/10W .5% SMD 0603
- DC DC Converters Bel Fuse Inc 7-DIP SMD 模块 CONV DC/DC 3A 3.3VDC .9-2.5V SMD
- FET - 阵列 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 双 MOSFET N-CH DL 20V PPAK 1212-8
- 陶瓷 AVX Corporation 1111(2828 公制) CAP CER 560PF 150V 10% 1111
- 标签,标记 3M (TC) LABEL 5X3" BLACK ON YEL 500/PK