SI4943BDY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET P-CH DUAL 20V 6.3A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:19 毫欧 @ 8.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
SI4943BDY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET P-CH DUAL 20V 6.3A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:19 毫欧 @ 8.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4943BDY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET P-CH DUAL 20V 6.3A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:19 毫欧 @ 8.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
SI4943BDY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:19 毫欧 @ 8.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4943CDY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:19.2 毫欧 @ 8.3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:62nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1945pF @ 10V
- 功率_最大:3.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4943CDY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET P-CH DUAL 20V 8A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:19.2 毫欧 @ 8.3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:62nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1945pF @ 10V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC OPAMP GP 110KHZ DUAL LP 8SOIC
- 断路器 Schurter Inc CIR BRKR THRM 15A ROCKER 240VAC
- FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH DUAL 40V 8-SOIC
- 接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器 STMicroelectronics 10-QFN IC SWITCH DUAL SPDT 10QFN
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC OPAMP GP R-R 6.4MHZ 8SOIC
- 钽 Vishay Sprague 1410(3727 公制) CAP TANT 3.3UF 20V 10% 1410
- 钽 Vishay Sprague 2910(7227 公制) CAP TANT 68UF 4V 20% 2910
- FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH DUAL 20V 6.3A 8-SOIC
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC OPAMP GP 110KHZ DUAL 8TSSOP
- IGBT - 单路 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB IGBT 10A C410V CLAMPED D2PAK
- 钽 Vishay Sprague 1410(3727 公制) CAP TANT 3.3UF 20V 10% 1410
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC OPAMP GP R-R 6.4MHZ 8SOIC
- 钽 Vishay Sprague 2910(7227 公制) CAP TANT 68UF 4V 20% 2910
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC OPAMP GP 110KHZ QUAD 14SOIC
- 断路器 Schurter Inc CIR BRKR THRM 20A ROCKER 240VAC